探測(cè)條件選擇
1.探頭選擇：
頻率：雙晶直探頭為5MHZ，單晶直探頭為2MHZ～5MHZ，對(duì)晶粒粗大鍛件可適當(dāng)降低頻率，可用1～2.5MHZ。
晶片尺寸：Ф14～25mm，常用Ф20mm。
雙晶直探頭——檢測(cè)近表面缺陷。探頭晶片面積不小于150mm2。
斜探頭——晶片面積為140mm2～400mm2，頻率為2.5MHZ。探測(cè)與表面垂直缺陷宜用K1（45°），必要時(shí)用60°～70°相當(dāng)于K2。
2.表面要求與耦合劑：
表面要求：檢測(cè)面表面要求平整，經(jīng)機(jī)加工，表面粗糙度Ra應(yīng)小于6.3μm，□工件表面應(yīng)去除氧化皮、污物等附著物。
耦合劑：機(jī)油、漿糊、甘油等。
3.掃查方式：
——互相垂直兩個(gè)方向
100%掃查
直探頭
雙晶直探頭
斜探頭：周向、軸向各正、反二個(gè)方向。
掃查復(fù)蓋面積探頭直徑尺寸15%。
掃查速度≤150mm/s。
4.材質(zhì)衰減測(cè)定
在鍛件上選定三處有代表性部位（完好部位）測(cè)出1、底波B1和2、底波B2的波高分界值。
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